Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Verbindungshalbleitersubstrat — sudėtinio puslaidininkio padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor body vok. Verbindungshalbleitersubstrat, n rus. подложка из полупроводникового соединения, f pranc. substrat en semi conducteur composé … Radioelektronikos terminų žodynas
compound-semiconductor body — sudėtinio puslaidininkio padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor body vok. Verbindungshalbleitersubstrat, n rus. подложка из полупроводникового соединения, f pranc. substrat en semi conducteur composé … Radioelektronikos terminų žodynas
substrat en semi-conducteur composé — sudėtinio puslaidininkio padėklas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor body vok. Verbindungshalbleitersubstrat, n rus. подложка из полупроводникового соединения, f pranc. substrat en semi conducteur composé … Radioelektronikos terminų žodynas
sudėtinio puslaidininkio padėklas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor body vok. Verbindungshalbleitersubstrat, n rus. подложка из полупроводникового соединения, f pranc. substrat en semi conducteur composé, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Технологический процесс в электронной промышленности — Кристаллический кремний … Википедия
Полупроводник — Монокристаллический кремний полупроводниковый материал, наиболее широко … Википедия
Карбид кремния — Карбид кремния … Википедия
